量子隧穿復(fù)合材料（QTCF）憑借量子隧穿效應(yīng)，為超低功耗按鍵開關(guān)提供了革命性的信號傳輸機(jī)制。傳統(tǒng)按鍵開關(guān)依賴機(jī)械接觸實(shí)現(xiàn)信號導(dǎo)通，存在接觸電阻、磨損及功耗較高等問題。QTCF則通過量子隧穿效應(yīng)，在無需物理接觸的情況下實(shí)現(xiàn)電子穿越勢壘，完成信號傳輸。

QTCF由納米級導(dǎo)電顆粒與絕緣基質(zhì)復(fù)合而成，形成大量微觀隧穿結(jié)。當(dāng)按鍵受壓時，導(dǎo)電顆粒間距縮小至納米級，電子在量子隧穿效應(yīng)驅(qū)動下，以一定概率穿越絕緣勢壘，形成導(dǎo)電通道。這一過程無需電子跨越傳統(tǒng)能壘，顯著降低了開啟電壓與功耗。MIT團(tuán)隊研發(fā)的銻化鎵/砷化銦基QTCF按鍵開關(guān)，通過量子限域效應(yīng)將隧穿能壘厚度壓縮至6納米，實(shí)現(xiàn)微安級電流下的高效信號傳輸，功耗較傳統(tǒng)CMOS開關(guān)降低90%。

此外，QTCF的隧穿概率對勢壘高度與寬度高度敏感，可通過材料組分與結(jié)構(gòu)設(shè)計實(shí)現(xiàn)亞納秒級響應(yīng)速度。在醫(yī)療設(shè)備無菌按鍵等場景中，QTCF的非接觸式信號傳輸機(jī)制避免了機(jī)械磨損與細(xì)菌滋生，同時滿足IP68防護(hù)等級要求。隨著納米制造技術(shù)的進(jìn)步，QTCF有望推動電子設(shè)備向更低功耗、更高可靠性的方向發(fā)展。